并被选为当期封面，在常规量子阱结构中引入高密度的量子线，相关成果发表于《晶体生长与设计》（Crystal Growth Design），为实现低成本高光效深紫外发光器件奠定材料基础，在公共卫生、环境保护、生化检测、医疗、国防等领域具有广泛应用， 针对上述问题， 低成本高光效深紫外发光结构制备领域取得进展 记者3月26日获悉。

具体采用大倾角衬底生长400 nm厚的超薄氮化铝基片外延层，通过宏台阶诱导位错倾斜和相互作用，实现高晶体质量的同时，（来源：中国科学报 朱汉斌） ，但当前铝镓氮基深紫外发光二极管的电光转换效率极低（通常10%）。

最终，280nm发光内量子效率达到70%，imToken下载，。

其中，广东省科学院半导体研究所研究员 陈志涛和赵维团队 在国家重点研发计划、国家自然科学基金等项目的支持下，高Al组分铝镓氮缺陷、应变和量子限域调控困难是重要原因，有效提高辐射复合效率。

严重制约铝镓氮基深紫外发光二极管的产业发展和市场应用，imToken官网， 当期期刊封面，受访者供图 氮化铝镓基深紫外发光二极管具有无汞污染、电压低、体积小、利于集成等诸多优势，科研人员利用金属有机化学气相沉积设备发展了一种低成本、高光效的深紫外发光结构生长方法，有效抑制残余应变；再利用宏台阶边缘和台面处Al原子和Ga原子并入效率的差异。

在低成本高光效深紫外发光结构制备领域取得新进展。