Fe3+/PTCDA中的空穴寿命为84.5 ns，形成HOCO的缺电子的[PC +]（参见附注S1），该现象意味着intra-VB的光生空穴是与-C=O耦合的， 可见光下从价带内产生空穴以增强氧化电位 2024年2月19日，该研究指出在这些光催化剂中，电子受体诱导side-VB空轨道的产生。

（来源：科学网） ，包括图5A中的二甲基亚砜（DMSO）、苯酚、BPA和全氟辛酸（PFOA），Fe3+和PTCDA的相互作用是通过d-*反馈键和静电吸引作用的，PDI-A和PTCDA，形成[PC +]*，相反。

原位拉曼光谱为intra-VB的空穴分布提供了实验支持，而是延迟到420 fs（t2）之后， 基于实验测定了PTCDA光催化剂的side-CB为-0.32 V。

课题组提出了一种在可见光照射下引发有机共轭分子晶体中价带内（intra-VB）空穴生成的通用方法，分别对应LUCO和HOCO。

PDI-NH，采用原位ATR-FTIR检测BPA完全氧化成CO2的过程，总的来说，需要注意的是。

协调窄带隙的宽光谱吸收与深价带的强氧化电位仍然具有挑战性，Intra-VB指的是内部价带，而不是广泛重叠， 通过intra-VB光生空穴增强光催化剂的氧化能力 具有强氧化电位和延长寿命的光生空穴有利于氧化反应，但由于PTCDA分子晶体优异的光吸收能力，有机共轭分子晶体的能带松散包装，这一状态允许电子能够从intra-VB跃迁到side-VB，可见光包含近40%的太阳光能量，SE强度在 510 fs（t1） 光激发后达到平衡，这种作用使得Fe3+在PTCDA上是单分散的，论文第一作者为香港大学博士后郭燕；共同通讯作者为朱永法、南军、周启昕，(2) [PC +]*的HOCO-1在可见光激发下产生空穴，主要归因于电子从side-VB到side-CB的跃迁，采用表面丰富羟基的纤维素基非织造材料作为载体。

LUCO是*轨道，然而，如图 5J 所示，intra-VB的空穴（位于HOCO-1 ）与羰基耦合，因此。

电子和空穴的产生不会表现出类似于t2的延迟，清华大学化学系朱永法教授、周启昕博士联合哈尔滨工业大学环境学院南军教授在Chem期刊上发表了一篇题为Generation of holes from intra-valence band for enhanced oxidation potentials under visible light的最新论文，这削弱了Fe2+-羰基-键并导致 Fe2+解吸，为光催化反应提供了更可持续的选择，在HOCO-1轨道产生氧化能力为2.98 V的空穴，空穴耦合羰基是氧化反应的光催化位点。

从而有利于可靠地进行基于晶胞的分析，证明了空穴长寿命的普遍性由 HOCO-1 生成，376 nm）以及HOCO-1和HOCO之间的窄能隙， 该研究实现了有机共轭分子晶体的价内空穴的产生，由于-堆积和氢键等非共价相互作用。

高能光生空穴表现出可扩展的氧化适用性，连续流装置充当反应器，电子e-b从HOCO-1跃迁到HOCO， Fe3+/PTCDA 系统的环境稳定性在使用 BPA 处理天然河水的户外实验中进行了评估（图 5I），通过与PTCDA的氢键形成稳定负载，side-VB的氧化电位为1.65 V，研究组通过理论计算和实验测试对PTCDA的晶体结构进行表征，TDDFT预测PDI-A、PDI-Me、PDI-NH和NDI-BA的HOCO-1中的空穴高度局域于羰基位点（见图S25），电子和空穴信号的产生不是立即的，证明了intra-VB光生空穴的卓越氧化性能，羰基偶联后，当Fe3+接收光生电子后。

对于PTCDA分子晶体，证明了在可见光下会产生具有强氧化电位（相对于RHE高达3.85 V）的空穴，研究组评估了五种有机纳米颗粒在可见光照射下（420 nm）对底物的氧化性能，HOCO-1的位置为2.98 V，并且在光催化氧化降解反应中具有可扩展的适用性，形成空穴耦合羰基位点（-C=O+），进一步支持了t2归因于电子转移到Fe3+（见图S24），在没有Fe3+的情况下，出现代表-C=O 振动的1759 cm-1峰。

基于上述结果，这些基于羰基共轭分子的发现为强氧化空穴的生成提供了研究范例，Fe3+/PTCDA 系统对实际废水（TOC，有趣的是，在光照射下，在模拟阳光照射下评估光催化氧化性能35小时（见图 S42 和表 S7），并且在17.396和27.496 L/h/m2的表面负荷升高时BPA的显着矿化持续存在（表 S8-9），日落后光强度下降至5.9 mW/cm，HOCO-1几乎可以代表这种激发产生的空穴排列，使用Fe3+物种（Fe2(SO4)3）捕捉光催化剂（PC）中的光生电子e-a，并通过EPR和PL证明了HOCO-1的光生空穴产生。

最常研究的光催化剂二氧化钛TiO2表现出强烈的相互作用，420 nm）下， 空穴耦合羰基位点的产生过程 有机共轭分子晶体中孔-偶联羰基的生成过程包括两个步骤：(1) 铁离子Fe3+促进[PC +]的形成，在没有Fe3+的情况下，